Electrical properties of high-pressure reactive sputtered thin hafnium oxide high-k gate dielectrics

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Revue:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Année de publication: 2007

Volumen: 22

Número: 12

Pages: 1344-1351

Type: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/22/12/019 GOOGLE SCHOLAR HANDLE: https://hdl.handle.net/20.500.14352/51101

Objectifs de Développement Durable

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Classification des ODD obtenue à l'aide du modèle d'intelligence artificielle Aurora SDG.

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