Contribucion a la caracterizacion de gaas(si)modelizacion de la metaestabilidad de el2

Abstract

El objetivo de este trabajo era el de contribuir a la caracterizacion del asga semi-aislante mediante el estudio de sus propiedades opticas y electricas dando ademas una modelizacion de la metastabilidad del nivel el2. Los transitorios de fotocorriente y de fotoabsorcion estudiados revelan que existe una histeresis termica entre las dos transformaciones el2 - el2* y el2* - el2 que se hacen respectivamente a 80k y a 110k. Una gran parte del trabajo ha sido consagrado al estudio de los fenomenos de recuperacion optica con luz el borde de banda (1.4-1.5ev) una vez realizada la extincion optica. Hemos postulado la idea del activador de la mestaestabilidad (probablemente gaas), que actua como catalizador para el paso al estado metastable. Tomando esta idea como base se ha planteado un modelo fisico matematico cuya resolucion numerica reproduce con gran fidelidad los resultados experimentales de fotocorriente y fotoabsorcion optica.