Influences of the temperature on the electrical properties of HfO2-based resistive switching devices

  1. García, H.
  2. Boo, J.
  3. Vinuesa, G.
  4. Ossorio, Ó.G.
  5. Sahelices, B.
  6. Dueñas, S.
  7. Castán, H.
  8. González, M.B.
  9. Campabadal, F.
Revista:
Electronics (Switzerland)

ISSN: 2079-9292

Ano de publicación: 2021

Volume: 10

Número: 22

Tipo: Artigo

DOI: 10.3390/ELECTRONICS10222816 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus