Effective control of filament efficiency by means of spacer HfAlOx layers and growth temperature in HfO2 based ReRAM devices

  1. Vinuesa, G.
  2. Ossorio, O.G.
  3. García, H.
  4. Sahelices, B.
  5. Castán, H.
  6. Dueñas, S.
  7. Kull, M.
  8. Tarre, A.
  9. Jogiaas, T.
  10. Tamm, A.
  11. Kasikov, A.
  12. Kukli, K.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 2021

Volume: 183

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.SSE.2021.108085 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable