Estudio de propiedades optoelectrónicas en estructuras de pozos cuántico de semiconductor

Abstract

En esta tesis doctoral se ha desarrollado un modelo informático que permite el estudio de la absorción óptica en dispositivo de pozo cuámtico de perfil arbitrario. Las Simulaciones realizadas permiten contrastar dicho modelo, basado en la función de excitón de Green, con datos experimentales, proporcionando resultados satisfactorios en todos los casos estudiados. También se ha verificado la conveniencia de emplear el método de Galerkin (de elementos finitos) frente al de matriz de transferencia para el cálculo de las soluciones de la ecuación de Schrödinger para una partícula. El empleo de los programas se extiende, asimismo, al estudio de otros aspectos relacionados con los pozos cuánticos como por ejemplo el estado energético de los portadores dentro de la heteroestructura o las energías de transición excitónicas en función de diversos parámetros.