Bonding configuration and density of defects of SiOxH y thin films deposited by the electron cyclotron resonance plasma method

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2003

Volumen: 94

Número: 12

Páginas: 7462-7469

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1626798 GOOGLE SCHOLAR

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