Simulating the thermal behavior and fragmentation mechanisms of exohedral and substitutional silicon-doped C 60

  1. Marcos, P.A.
  2. Alonso, J.A.
  3. López, M.J.
Revista:
Journal of Chemical Physics

ISSN: 0021-9606

Ano de publicación: 2005

Volume: 123

Número: 20

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.2130707 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus