Annealing effects on the interface and insulator properties of plasma-deposited Al/SiOxNyHz/Si devices

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2004

Volumen: 19

Número: 2

Páginas: 133-141

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/19/2/001 GOOGLE SCHOLAR
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