Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores

  1. PALMA LOPEZ ALBERTO JOSE
Dirigida por:
  1. Juan Antonio Jiménez Tejada Director/a

Universidad de defensa: Universidad de Granada

Año de defensa: 1995

Tribunal:
  1. Pedro Cartujo Estebanez Presidente/a
  2. Juan Enrique Carceller Beltrán Secretario/a
  3. Daniel Pardo Collantes Vocal
  4. Luis A. Bailón Vega Vocal
  5. Tomás González Sánchez Vocal

Tipo: Tesis

Resumen

Se ha realizado un estudio teorico de los principales procesos de captura termica en el volumen del si y gaas mediante el metodo de monte carlo. Se ha incorporado la perturbacion culombiana que provocan los centros atractivos a la luz de la teoria de cascada de fonones y se ha adoptado la emision multifonon como la responsable de la transicion al nivel fundamental ligado. Como resultado de la comparacion de la seccion eficaz de captura numerica y la experimental se han obtenido importantes consecuencias respecto a este par de mecanismos de captura y se han calculado valores para algunos de sus parametros caracteristicos. Respecto al trabajo experimental se ha propuesto una nueva tecnica combinada numerico-experimental de medida precisa y simultanea de las secciones eficaces de mayoritarios y la concentracion de centros profundos de uniones p-n, que evita las principales deficiencias de las tecnicas capacitivas tradicionales. Esta tecnica se ha aplicado a uniones reales impurificadas con platino en distintas concentraciones para calcular estos parametros en los dos centros creados por esta impureza.