Modeling semiconductor ring lasers

Resum

La present tesi tracta sobre el modelatge de làsers d'anell de semiconductor centrant-se en la dinàmica no lineal, la propietats modals i l'estabilitat dinàmica que mostren aquests dispositius. Els làsers d'anell són dispositius que mostren una gran riquesa de comportaments dinàmics. Aquesta riquesa es deu a la presència de dos camps elèctrics que es propaguen en sentits oposats dins de la cavitat òptica, i a la interacció entre ells a través del mitjà actiu, que és el responsable de proporcionar el guany dels camps. D'entre la varietat de comportaments dinàmics, el règim d'emissió unidireccional biestable ha acaparat l'interès de la comunitat científica en l'última dècada pel seu ús en memòries òptiques i portes lògiques. Aquestes noves aplicacions han motivat la creació de models més complexos que els existents que s'han desenvolupat a la tesis, per servir de guia en el disseny de dispositius optimitzats per a situacions específiques.