Estudio de sistemas electrónicos en potenciales unidimensionales. Aplicación a la estructura metal-aislante-semiconductor

Resumen

Sobre estructuras basadas en un potencial unidimensional: se ha resuelto autoconsistentemente las ecuaciones de poisson y schrodinger incluyendo no parabolicidad en una estructura mis y a cualquier polarizacion; se suponen los electrones contenidos en un continuo mas subbandas, el modelo converge con el caso clasico. Se adapta tambien al caso de bandas no parabolicas en el que ademas se calcula la densidad de estados bidimensional no parabolica y nuevas expresiones analiticas para la integral de fermi de orden 1/2. Se propone una ecuacion de schrodinger modificada para incluir no parabolicidad, en el pozo y la barrera, y sus correspondientes condiciones de contorno. Se desarrolla un simulador de transporte electronico por monte carlo para silicio, gaas, y sio2. En este ultimo material se utilizan los modelos para la estabilizacion de los electrones: el de un valle (dispersion acustica umklapp) y el de dos valles (dispersion intervalle). Se corrigen las expresiones para la probabilidad de colision en la dispersion acustica umklapp, en la dispersion optica e intervalle, y en la optica polar. Se realiza un simulador microscopico de atrapamiento-liberacion en sio2 por el metodo de monte carlo, utilizando el campo electrico en el oxido mediante la resolucion autoconsistente de las ecuaciones de poisson y schrodinger en una estructura mis.