A physically based model for resistive memories including a detailed temperature and variability description

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Revista:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Año de publicación: 2017

Volumen: 178

Páginas: 26-29

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MEE.2017.04.019 GOOGLE SCHOLAR