Una extension del modelo de ebers-moll para el transistor bipolar en condiciones dinamicas

Abstract

Partiendo de las hipotesis del modelo de ebers-moll se resuelve la ecuacion de difusion de portadores minoritarios en funcion del tiempo obteniendose una expresion para la intensidad que circula por un diodo de longitud arbitraria en funcion de la señal u(t) en debil nivel de inyeccion. Se analiza la difusion de boro en silicio y se describe la fabricacion de unas muestras de diodos para la comprobacion experimental del modelo. Tras contrastar teoria/experiencia del modelo para el diodo se pasa a deducir las ecuaciones para el transitor y se aplican al calculo de la respuesta de un inversor.