Estudio de las propiedades fotoelectronicas del arseniuro de galio semiaislante (bridgman horizontal) mediante las tecnicas de fotoconductividad y absorcion optica

Abstract

Estudio de los centros profundos del aseniuro de galio mediante una tecnica de medida de la foroconductividad especialmente adaptada a este tipo de material caracterizado por constantes de tiempo muy largas. Las muestras son de tipo bridgman horizontal dupadas do g. Y o. Asimismo se han hecho medidas de absorcion optica. A partir de los resultados obtenidos y de la evoluvion termica de los mismos se han establecidos dos modelos para explicar los quenching opticos y termicos que se observan en la fotorespuesta del material. Para el primero se hace un modelo de donor metasiable y para el segundo una generacion fotoquimica de trampas madiante la excitacion extrinseca.