Simulacion de la implantacion ionica en cristales, incluyendo baja energia y acumulacion de dañado

Résumé

La implantacion ionica es una tecnica ampliamente utilizada en la industria microelectronica para la introduccion controlada de impurezas en semiconductores. En la memoria de esta tesis se describe el modelo numerico que hemos desarrollado para la simulacion de la implantacion ionica. Este modelo es del tipo de colisiones binarias, en el que se utiliza el metodo de monte carlo, y ha sido desarrollado a partir del codigo del programa marlowe, de robinson y torrens. Este modelo permite mejorar las predicciones del programa para implantaciones en materiales cristalinos, con baja energia o con dosis altas. Se presentan los resultados de la simulacion de varias implantaciones de boro y fosforo en silicio, junto con perfiles experimentales.