Estudio mediante espectroscopia raman de estructuras soi-simox

Resumen

Las estructuras soi-simox son de gran interes para la fabricacion de circuitos integrados de gran velocidad, circtuitos cmos, aplicaciones bipolares, etc. En campos que hasta ahora pertenecian al silicio. Sus ventajas frente al silicio son mayores velocidades de conmutacion, mayor resistencia a la radiacion y procedimientos mas sencillos de procesado. Su principal inconveniente son las elevadas densidades de defectos que hasta ahora presenta. El objetivo de este trabajo es por tanto el estudio tanto de estas estructuras como de los defectos que contienen. Las estructuras soi-simox son estructuras en tres capas, una capa superior de silicio de 100-300 nm de espesor, una capa de oxido enterrado de 200-400 nm de espesor y un substrato de silicio. La tecnica mas importante de fabricacion es la implantacion sobre un substrato de silicio de iones oxigeno a alta energia. La tecnica de caracterizacion que se eligio fue la espectroscopia raman, por ser un metodo rapido, no destructivo y especialmente util, tanto para el estudio de semiconductores como para el estudio de estucturas en multicapas. Junto a la espectroscopia raman se utilizaron medidas de microscopia electronica de transmision. Por ser el material simox altamente defectuoso, lo primero que se hizo fue ver el efecto que tenian los defectos en silicio sobre las bandas raman. Para ello se realizo el estudio de una oblea de silicio sobre la cual se habia realizado una indentacion vickers. De este modo se crearon fracturas, cristales de pequeño tamaño y dislocaciones, que permitieron estudiar los defectos en una estructuras de silicio. A continuacion se estudio la forma general de las bandas raman en estructuras soi-simox y se vio la influencia del recocido sobre la estructura final. Una vez visto esto se realizo un estudio sistematico de muestras realizadas a traves de distintos procesos de implantacion. Se estudiaron las muestras ss y sia, las trimox, las dvar, las ser