Espectroscopia optica de la admitancia. Caracterizacion del au en si y del el2 en gaas

Resumen

En este trabajo se ha puesto a punto una nueva tecnica de caracterizacion optica de centros profundos en semiconductores, denominada espectroscopia optica de la admitancia. Esta tecnica consiste en la medida, a baja temperatura, de la capacidad y de la conductancia de una union p-n o de una barrera schottky que contiene un centro profundo cuando es iluminada con una luz monocromatica. Las curvas de conductancia presentan un maximo cuando se hace varias la energia de los fotones de la luz, para cada uno de los centros profundos localizados en la banda prohibida del semiconductor. Se ha aplicado la espectroscopia optica de la admitancia para medir las secciones eficaces de captura optica correspondientes a la emision de portadores desde el nivel aceptador del oro en el silicio a cada una de las bandas, obteniendose un buen acuerdo con los resultados obtenidos por otros autores y con el modelo teorico de lucovski. Se han obtenido los espectros de la seccion eficaz de captura optica correspondiente a la emision de electrones desde el centro el2 a la banda de conduccion del gaas, a tres temperaturas (150, 200 y 270 k), comprendidas dentro de un rango limitado a alta temperatura por la emision termica y a baja temperatura por el fenomeno de fotoquenching caracteristico del el2. Finalmente se hace una discusion de los resultados obtenidos, y se propone para el el2 una naturaleza en la forma de agregados de arsenico, asi como la existencia de un nivel aceptador superficial proximo a la banda de valencia para explicar el espectro obtenido a energias de los fotones proximas al gap del gaas.