Secciones eficaces de captura optica del paladio en el silicio

Resumen

En este trabajo se han analizado y desarrollado dos tecnicas de medios de las secciones eficaces de captura optica de centros profundos en semiconductores, la cc-dlos (constant capacitance deep level optical spectroscopy) y la oas (optical admitance spectroscopy). La cc-dlos se basa en la medida de la pendiente en el origen de los transitorios de voltaje de una union pn o diodo schottky estimulados opticamente, despues de haber excitado la union electrica, termica u opticamente. La oas se basa en la medida de la capacidad y la conductancia de una union bajo iluminacion en funcion de la energia de los fotones de la luz incidente, manteniendo constantes la frecuencia de la señal de medida y la temperatura. Se han medido las energias de activacion termica de los dos niveles profundos asociados al paladio en el silicio mediante la olts. Se han medido las secciones eficaces de captura optica de electrones y de huecos de estos niveles utilizando las tecnicas cc-dlos y oas. La tecnica que se ha empleado para medir cada una de ellas depende de sus caracteristicas y de la posible interaccion entre los dos niveles. Se ha obtenido un buen acuerdo con el modelo de lucovsky y con los resultados de otros autores.