Medida de parametros atomicos en un plasma de silicio

  1. GONZALEZ FERNANDEZ, VICTOR R.
Dirigée par:
  1. Santiago Mar Sardaña Directeur

Université de défendre: Universidad de Valladolid

Fecha de defensa: 09 juillet 1999

Jury:
  1. Manuel Quintanilla Montón President
  2. Juan Luis González Vízmanos Secrétaire
  3. Isabel Tanarro Onrubia Rapporteur
  4. Klaus Grützmacher Rapporteur
  5. Luis Roso Franco Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 72110 DIALNET

Résumé

En este trabajo se determinan los parametros stark del silicio una y dos veces ionizado, asi como las probabilidades de transición del silicio una vez ionizado, en un plasma pulsado cuyo estado fisico se asemeja al de atmosferas estelares de interes astrofisico y al de varios plasmas de interes industrial y de laboratorio. Se ha realizado un exhaustivo estudio del estado de equilibrio termodinam ico del plasma generado mediante el dispositivo experimental, utilizando los modelos de plasma en equilibrio local parcial y de dos temperaturas. Para llevar a cabo el diagnostico del plasma de silicio ha sido precisa la construcción y puesta a punto de varios dispositivos experimentales, asi como el desarrollo de diversas tecnicas experimentales y de diagnostico. Como resultado del trabajo se ha podido dilucidar la indeterminación debida a la gran dispersión existente entre los resultados ofrecidos por trabajos previos y establecer los modelos teoricos mas aproximados a los resultados experimentales.