Caracterizacion del dañado electrico residual tras procesos de implantacion ionica y rta en silicio y fosfuro de indio

Laburpena

El objetivo del presente trabajo ha sido estudiar el dañado eléctricamente activo que permanece en el material implantado después del tratamiento térmico posterior a la implantación iónica, así como su dependencia con determinadas variables tecnológicas. En el primer y segundo capítulos se hace una introducción a una implantación iónica y una descripción de las técnicas de caracterización eléctrica utilizadas, dando especial importancia a la técnica de transitorios de capacidad-tensión (CVTT), desarrollada para poder estudiar los perfiles de centros profundos cuando no son uniformes. Dos han sido los materiales bajo estudio: En el capítulo tres se muestran los resultados obtenidos sobre Silicio implantado con Boro y sometido a un RTA a diferentes temperaturas y tiempos, mientras que en el capítulo cuatro, se estudian los centros profundos producidos durante la implantación de diferentes materiales sobre Fosfuro de Indio. Por último, en el capítulo cinco, se resumen las principales conclusiones derivadas de los trabajos expuestos en los capítulos anteriores.