Deep and shallow electronic states associated to doping, contamination and intrinsic defects in ε-Ga2O3 epilayers

  1. Parisini, A.
  2. Bosio, A.
  3. von Bardeleben, H.J.
  4. Jimenez, J.
  5. Dadgostar, S.
  6. Pavesi, M.
  7. Baraldi, A.
  8. Vantaggio, S.
  9. Fornari, R.
Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2022

Volumen: 138

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2021.106307 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus