Characterization of the EL2 center in GaAs by optical admittance spectroscopy

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, E.
  3. De Dios, A.
  4. Bailón, L.
  5. Barbolla, J.
  6. Pérez, A.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1990

Volumen: 67

Número: 10

Páginas: 6309-6314

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.345149 GOOGLE SCHOLAR

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