Interface state density measurement in MOS structures by analysis of the thermally stimulated conductance

  1. de Dios, A.
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  4. Barbolla, J.
  5. Lozano, M.
  6. Lora-Tamayo, E.
Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 1990

Volumen: 33

Número: 8

Páginas: 987-992

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/0038-1101(90)90208-V GOOGLE SCHOLAR
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