Study of the dislocation atmospheres in n-type GaAs by DSL photoetching, EBIC and microraman measurements

  1. Martin, P.
  2. Jimenez, J.
  3. Frigeri, C.
  4. Weyher, C.
  5. Sonnenberg, K.
Actas:
Materials Science Forum

ISSN: 0255-5476

Año de publicación: 1995

Volumen: 196-201

Número: pt 4

Páginas: 1791-1796

Tipo: Artículo

DOI: 10.4028/WWW.SCIENTIFIC.NET/MSF.196-201.1791 GOOGLE SCHOLAR
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