Detailed electrical characterization of DX centers in Se-doped AlxGa1-xAs

  1. Dueñas, S.
  2. Pinacho, R.
  3. Castán, E.
  4. Quintanilla, L.
  5. Peláez, R.
  6. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 82

Nummer: 9

Seiten: 4338-4345

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.366242 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus