Mechanism for the reduction of interstitial supersaturations in MeV-implanted silicon

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 1999

Volumen: 74

Número: 9

Páginas: 1299-1301

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.123530 GOOGLE SCHOLAR
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