Electrical characterization of deep levels existing in fully implanted and rapid thermal annealed p+n InP junctions

  1. Quintanilla, L.
  2. Dueñas, S.
  3. Castán, E.
  4. Pinacho, R.
  5. Peláez, R.
  6. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN: 0957-4522

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 10

Nummer: 5

Seiten: 413-418

Art: Artikel

DOI: 10.1023/A:1008913927240 GOOGLE SCHOLAR
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