On the interface quality of MIS structures fabricated from atomic layer deposition of HfO2, Ta2O5 and Nb 2O5-Ta2O5-Nb2O 5 dielectric thin films

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Barbolla, J.
  5. Kukli, K.
  6. Ritala, M.
  7. Leskelä, M.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Año de publicación: 2003

Volumen: 786

Páginas: 147-152

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1557/PROC-786-E3.18 GOOGLE SCHOLAR
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