Modeling of dopant and defect interactions in Si process simulators

  1. Pelaz, L.
  2. Marqués, L.A.
  3. Aboy, M.
  4. Barbolla, J.
Revista:
Defect and Diffusion Forum

ISSN: 1662-9507,  1012-0386

Ano de publicación: 2003

Volume: 221-223

Páxinas: 31-40

Tipo: Artigo

DOI: 10.4028/WWW.SCIENTIFIC.NET/DDF.221-223.31 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus