The electrical-interface quality of as-grown atomic-layer-deposited disordered HfO2 on p- and n-type silicon

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2004

Volumen: 19

Número: 9

Páginas: 1141-1148

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/19/9/013 GOOGLE SCHOLAR
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