Effect of the p+-GaAs contact layer doping level on the gradual degradation of InGaAs/AlGaAs pump lasers

  1. Pommiès, M.
  2. Avella, M.
  3. Patriarche, G.
  4. Bettiati, M.
  5. Hallais, G.
  6. Jiménez, J.
Revista:
EPJ Applied Physics

ISSN: 1286-0042

Año de publicación: 2004

Volumen: 27

Número: 1-3

Páginas: 465-468

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1051/EPJAP:2004052 GOOGLE SCHOLAR