Properties of As+-implanted and annealed GaAs and InGaAs quantum wells: Structural and band-structure modifications

  1. Tomm, J.W.
  2. Strelchuk, V.
  3. Gerhardt, A.
  4. Zeimer, U.
  5. Zorn, M.
  6. Kissel, H.
  7. Weyers, M.
  8. Jiménez, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2004

Volumen: 95

Número: 3

Páginas: 1122-1126

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1637956 GOOGLE SCHOLAR
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