Role of the SiO2 buffer layer thickness in the formation of Si/SiO2/nc-Ge/SiO2 structures by dry oxidation

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Revista:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

ISSN: 0168-583X

Año de publicación: 2006

Volumen: 249

Número: 1-2 SPEC. ISS.

Páginas: 306-309

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.NIMB.2006.04.017 GOOGLE SCHOLAR

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