Characterisation of GaAsN layers grown by MOVPE

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2006

Volumen: 287

Número: 2

Páginas: 625-628

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2005.10.086 GOOGLE SCHOLAR
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