Recrystallization of atomically balanced amorphous pockets in Si: A source of point defects

  1. Marqués, L.A.
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Revista:
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

ISSN: 1098-0121,  1550-235X

Año de publicación: 2007

Volumen: 76

Número: 15

Tipo: Artículo

DOI: 10.1103/PHYSREVB.76.153201 GOOGLE SCHOLAR
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