Evolution of boron-interstitial clusters in preamorphized silicon without the contribution of end-of-range defects

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Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2008

Volumen: 154-155

Número: 1-3

Páginas: 247-251

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSEB.2008.09.034 GOOGLE SCHOLAR
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