From point defects to dislocation loops: A comprehensive modelling framework for self-interstitial defects in silicon

  1. Martin-Bragado, I.
  2. Avci, I.
  3. Zographos, N.
  4. Jaraiz, M.
  5. Castrillo, P.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 2008

Volum: 52

Número: 9

Pàgines: 1430-1436

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SSE.2008.04.027 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus