Physical modeling and implementation scheme of native defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures for atomistic process simulation
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2011
Ausgabe: 109
Nummer: 10
Art: Konferenz-Beitrag
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2011
Ausgabe: 109
Nummer: 10
Art: Konferenz-Beitrag