Modeling and experimental characterization of stepped and v-shaped {311} defects in silicon

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  6. Gwilliam, R.M.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Argitalpen urtea: 2014

Alea: 115

Zenbakia: 14

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.4871538 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

Lotura duten proiektuak

DE LOS DEFECTOS MICROSCÓPICOS INDUCIDOS POR RADIACIÓN A SUS EFECTOS MACROSCÓPICOS A TRAVÉS DE LA SIMULACIÓN MULTI-ESCALA

2012/00055/001

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