Desarrollo de un Modelo Teórico para la Interpretación de Difractogramas de Rayos X de Alta Resolución

Abstract

En este trabajo se presenta un modelo de cálculo de difractogramas de rayos X aplicable al estudio de estructuras semiconductoras epitaxiales. El cálculo de la curva de reflectividad se realiza mediante la teoría dinámica de Takagi y Taupin en la aproximación de dos ondas, según la cual sólo la onda incidente y una onda difractada forman el campo de onda en el interior del medio cristalino. La formulación miginal de esta teoría prevé que el vector de deformación de la red cristalina puede tener una dirección cualquiera. Sin embargo, en los materiales epitaxiales la deformación sigue una dirección preferente perpendicular a la dirección de crecimiento. Tras incluir esta simplificación en el sistema fundamental de ecuaciones de la teoría dinámica, se obtiene una solución analítica que permite el cálculo mediante ordenador de la curva de reflectividad de cualquier estructura epitaxia