The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta2O5-TiO2-Based Metal–Insulator–Metal (MIM) Devices for Memory Applications

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Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Año de publicación: 2018

Volumen: 47

Número: 9

Páginas: 4938-4943

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1007/S11664-018-6105-0 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
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