Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2:Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications
- Castán, H.
- Dueñas, S.
- Kukli, K.
- Kemell, M.
- Ritala, M.
- Leskelä, M.
ISSN: 1938-5862, 1938-6737
ISBN: 9781607688365
Año de publicación: 2018
Volumen: 85
Número: 8
Páginas: 143-148
Tipo: Aportación congreso