Simulation of cluster evaporation and transient enhanced diffusion in silicon

  1. Rafferty, C.S.
  2. Gilmer, G.H.
  3. Jaraiz, M.
  4. Eaglesham, D.
  5. Gossmann, H.-J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 1996

Volum: 68

Número: 17

Pàgines: 2395-2397

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.116145 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus