Raman microstructural analysis of silicon-on-insulator formed by high dose oxygen ion implantation: As-implanted structures

  1. Macía, J.
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  7. Margail, J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 82

Nummer: 8

Seiten: 3730-3735

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.365735 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus