Contribución al establecimiento y caracterización de una tecnología de ataque de aleaciones III-V basadas en indio mediante haces de iones reactivos

Abstract

La tecnologia de ataque seco a temperatura ambiente de aleaciones iii-v basadas en in esta fundamentada en ataques mediante plasmas de ch4/h2. La transferencia de esta tecnologia desde los convencionales reactores de radiofrecuencia a reactores ecr requiere la modificacion de la quimica del plasma para evitar dos problemas fundamentales: la inestabilidad del plasma y la deposicion de hidrocarburos sobre las paredes. Ambos problemas se resuelven mediante la innovadora adicion de n2 al plasma, permitiendo la mezcla de gases final dos objetivos basicos: la controlabilidad y reproducibilidad del proceso y la extrema suavidad de las superficies finales. Este plasma es aplicado al ataque de aleaciones iii-v basadas en in con inmejorables resultados. El ataque de aleaciones que contengan al exige añadir al plasma de ch4/h2/n2 un gas que contenga c1, el compuesto elegido es sic14. Se consigue asi un plasma que permite el procesado de heteroestructuras que contengan a su vez a1 e in cuando la relacion de flujos entre gases es la adecuada. Se realiza una exhaustiva caracterizacion del dañado en funcion de la energia ionica, que como resultado global permite introducir un modelo de evolucion del dañado en funcion de la energia ionica, que resulta tener la forma funcional de una convolucion entre el perfil de dañado instantaneo y la velocidad de ataque.