Defect formation during chlorine-based dry etching and their effects on the electronic and structural properties of InP/InAsP quantum wells

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Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

ISSN: 1520-8559,  0734-2101

Año de publicación: 2016

Volumen: 34

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.4950445 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
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