Contribución al desarrollo de técnicas de fabricación de diodos Schottley sobre arseniuro de galio

Resumen

Se han desarrollado y evaluado varias tecnicas para la preparacion de diodos schottley sobre asba haciendo hincapie en aquellos que pueden utilizarse como mezcladores en ondas milimetricas. Se ha desarrollado construido y puesto a punto un equipo completo de crecimiento epitacial en fase vapor de asba por el metodo c/3as/ga/h2 habiendose medido velocidades de crecimiento que dependiendo de las condiciones del mismo van desde 4 a 35 km/hora. Se han optimizado tecnicas convencionales de fotolitografia para abrir ventanas de 2 5 nm de diametro. Se han efectuado depositos piroliticas de si02 y depositos metalicos mediante pulverizacion catodica + tratamiento termico de palodio y wolpario y mediante electrolisis por impulsos de oro y platino obteniendose barreras cercanas al ideal (n 1 03).