Estudio, diseño y fabricacion de dispositivos de potencia mos-tiristor compatibles con un proceso igbt

Resumen

En este trabajo se han analizado y fabricado cuatro estructuras mos-tiristor: el est, el brt, el ibmct y el dmgt a partir de simulaciones electricas bidimensionales. Estos dispositivos de potencia consisten en un tiristor cuyos procesos de disparo y corte se4 controlan a traves de transistores mos integrados en la propia estructura. Las estructuras ibmct y dmgt, de nueva concepcion, presentan dos transistores mos independientes y un contacto ohmico flotante utilizado en el proceso de corte. Los cuatro tipos de estructuras mos-tiristor se han simulado incluyendo un contacto de shorted anode para reducir su tiempo de corte. El proceso tecnologico de fabricacion de las estructuras mos-tiristor es un proceso igbt al que se han añadido las etapas necesarias para realizar la terminacion tipo jte y el procesado de la cara posterior que permite obtener el shorted anode la caracterizacion estatica de los dispositivos ha permitido analizar la influencia de los parametros geometricos de la celda basica de cada estructura sobre su caracteristica i(v) la caracterizacion dinamica ha corroborado la capacidad de disparo y corte de los cuatro tipos de dispositivo mos-tiristor. Ademas, se ha probado la reduccion de las perdidas en conmutacion gracias a la inclusion del shorted anode