Contribución a la tecnología de fabricación de Modfets submicrónicos sobre Gaas

Resumen

El núcleo temático de esta tesis se centra en la problemática tecnológica que presenta la fabricación de transistores submicrónicos tipo Modfet sobre estructuras Algaas/Gaas y Algaas/Ingaas/Gaas, para aplicaciones de muy alta frecuencia. La tesis se ha organizado en tres partes. La primera es una introducción general al tema en la que se comentan los modos de funcionamiento de los dispositivos. La segunda parte constituye la parte más importante del trabajo, y en ella se describen todos los procesos tecnológicos necesarios para la fabricación de los dispositivos a partir del material base. En la tercera y última parte se presentan los resultados experimentales que se obtuvieron en los distintos tipos de transistores fabricados. En la parte de la tecnología se pone especial interés en los procesos básicos de transferencia de geometrías, aislamiento de mesas, contactos Ohmicos, rebaje y fabricación de puerta. Para la escritura de geometrías se ha utilizado fundamentalmente un sistema de litografía por haz de electrones. La tercera parte se dedica a la descripción de los resultados obtenidos. Los parámetros que se estudiaron fueron, entre otros, la longitud de puerta, orientación cristalina del dispositivo, anchura de puerta, efecto de las resistencias de acceso.