Reset transition in HfO2-Based memristors using a constant power signal

  1. García, H.
  2. Vinuesa, G.
  3. González, M.B.
  4. Campabadal, F.
  5. Castán, H.
  6. Dueñas, S.
Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2025

Volumen: 186

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2024.109037 GOOGLE SCHOLAR
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